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本发明涉及一种可腔双球面锗单晶生长的方法及模具，属半导体冶金晶体生长领域。本发明将锗金属和锗单昌籽晶分别装入公知的晶生长设备中的模具的上石模２与下石墨模３之间和下模３下部的晶种室４内，经一段时间的晶种导引，模块热固直接生长出任意曲率半径的双...
该专利属于昆明冶金研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明冶金研究所授权不得商用。

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