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一种拉单晶方法，使用：一气密容器，在气密容器内用于装半导体熔化物、由互连的外坩埚和内坩埚组成的双坩埚，从气密容器的上部悬挂下来、并设置成可以从其下端开口将颗粒状或粉末状源材料加进外坩埚里的半导体熔化物内的源材料供应管，注入进源材料供应管的源...该专利属于三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社授权不得商用。