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本发明公开了一种将电流取样器（９５）用于电镀晶片的阴极电流控制系统。所述电流取样器（９５）包括装置在基本上环绕所述晶片（５５）周边区域的多元导电的环节（１３０）。使用了第一多元电阻器件，每个电阻器件与相应的多元导电环节（１３０）之一相连接。...
该专利属于塞米图尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过塞米图尔公司授权不得商用。

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