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本发明涉及二极管制作技术领域，尤其是一种高压快恢复整流二极管的制作方法，通过选择合理阻值的N型单晶硅片，设计、测试管芯的厚度与结深，以及采用硼酸与硝酸铝合理配比的硼扩散源，制备得到高压快恢复整流二极管。此方法制备的高压快恢复整流二极管，可以...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）授权不得商用。