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本发明涉及一种半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法，蚀刻液配方：稳定剂２５－５０，氢氟酸０．２－２，缓冲剂１－１０，硝酸２－１０，非离子表面活性剂０．０００１－０．００１，去离子水适量。工艺步骤：一、按配比把缓冲剂加入氢氟酸中，搅拌３０分钟，得...该专利属于江阴市润玛电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴市润玛电子材料有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法，蚀刻液配方：稳定剂２５－５０，氢氟酸０．２－２，缓冲剂１－１０，硝酸２－１０，非离子表面活性剂０．０００１－０．００１，去离子水适量。工艺步骤：一、按配比把缓冲剂加入氢氟酸中，搅拌３０分钟，得...