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本发明涉及提高浮栅型闪存擦除效率的方法以及浮栅型闪存，在半导体基底上的第一浮栅区域和第二浮栅区域，依次叠加形成隧穿氧化层、浮栅层、垫氧化层和氮化硅层，接着在垫氧化层和氮化硅层中形成贯通的开口，并对暴露的浮栅层进行局部氧化工艺，利用局部氧化工...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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