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本发明公开了氧化铟锡（ＩＴＯ）靶，其制造方法，ＩＴＯ透明导电膜及其制造方法。所述ＩＴＯ靶包括选自由Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｙｂ↓［２］Ｏ↓［３］构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约０．５ｗｔ％～约１０ｗｔ％。...
该专利属于三星康宁精密琉璃株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星康宁精密琉璃株式会社授权不得商用。

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