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本发明中央多弧源式离子镀方法，涉及一种真空镀膜方法，用以消除现有技术离子镀工件装载量受限、多元素镀膜或多层镀膜受限、占用较大空间、制造难度大、生产成本高等问题；本发明在一「离子镀」舱体中央配一组靶座阵列，三组靶座分别形成正三角柱的几何关系，...
该专利属于柳荣权;柳志欣;何主亮所有，仅供学习研究参考，未经过柳荣权;柳志欣;何主亮授权不得商用。

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