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本发明公开了一种P型沟槽栅MOSFET包括：P型重掺杂的半导体衬底。在半导体衬底上形成有一层P型轻掺杂的外延层。N型阱区形成于外延层表面，N型阱区通过多次离子注入的杂质经退火后叠加形成，通过增加各离子注入的注入能量调节N型阱区的深度，以减少...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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