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成膜装置和成膜方法制造方法及图纸
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文档序号:17839804
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本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100),包括:收纳晶片W的腔室(1);向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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