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提供了一种用于减小天线效应的MOS器件。MOS器件包括二极管，包含第一nMOS晶体管，具有第一nMOS晶体管源极、第一nMOS晶体管漏极、第一nMOS晶体管栅极和nMOS晶体管本体。nMOS晶体管本体耦合至第一电压源并且是二极管的阳极。第一...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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