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本发明公开了一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，用于IC片上ESD防护器件；由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区注入区、第一P+跨桥、第二P+注入区、第二P+跨桥、第三P+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属...
该专利属于淮阴师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过淮阴师范学院授权不得商用。

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