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提供HcJ的温度系数被改善、高温时HcJ的降低少且能够得到高HcJ的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法。包括：准备含有R29.5～35.0质量％、B0.80～0.90质量％、Ga0.1～0.8质量％、M0～2质量％、剩余部分T和不可避免的杂质的...
该专利属于日立金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立金属株式会社授权不得商用。

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