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本发明公开了一种塑封光耦解剖方法，通过X射线检查塑封光耦的内部结构，利用激光开封机对塑封光耦进行局部去除，对塑封光耦的发光部分和接收部分进行分离，然后采用浓硫酸浸泡的方式，去除芯片表面的导光胶，实现失效分析以及DPA工作中的键合强度及芯片粘...
该专利属于西安微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安微电子技术研究所授权不得商用。

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