温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种阻变存储器及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成功能层，所述功能层包括多层绝缘介质层以及多层阻变介质层；形成贯穿所述功能层的第一沟槽，将所述功能层分为两部分，所述第一沟槽的深度大于所述功能层的厚度，且...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。