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本发明提出了一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池。该方法包括：清洗硅衬底的表面；在硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积电介质薄膜，在温度T1低于350摄氏度下循环操作以下步骤直至电介质薄膜达到一预定厚度D1：持续供给含...
该专利属于常州天合光能有限公司;澳大利亚国立大学所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司;澳大利亚国立大学授权不得商用。

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