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本发明提供一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法，包括：位于衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，氧化层沟槽的宽度大于绝缘层沟槽的宽度。一种的掩膜结构的制作方法，包...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。