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用于N/P调谐的鳍式FET器件制造技术
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下载用于N/P调谐的鳍式FET器件的技术资料
文档序号:16673585
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集成逻辑电路中n型与p型鳍式FET强度比可通过使用有源和虚设栅极电极中的切割区来被调谐。在一些示例中,可使用针对虚设栅极电极和有源栅极电极的分开的切割区以允许不同长度的栅极导通有源区,从而得到被恰适调谐的集成逻辑电路。...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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