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本发明涉及用于具有静电放电保护的MOSFET的方法、装置及系统，其方法、装置及系统涉及抗静电放电的MOSFET，尤其涉及半导体装置。该半导体装置包括：包括栅极、源极及漏极的场效应晶体管(FET)，该栅极、源极及漏极全部沿第一方向彼此平行延伸...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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