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本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。该存储器结构包括多个存储器区段。存储器区段各包括存储器阵列区、存储器选择区、半导体栅电极、半导体通道、栅介电层、栅电极层与通道层。存储器选择区邻近存储器阵列区。半导体通道连接半导体栅电极。栅电极层与半...
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