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本发明提供一种存储单元及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一多晶硅；在第一多晶硅上形成多层膜结构，多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；选择性刻蚀多层膜...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。