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本发明公开了一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片及制造方法，其特征在于：芯片台面附近区域设计的辅助沟槽结构，当外加最高反向电压时，N型基区耗尽层被限制在基区以内，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结...
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