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本发明提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底；2）在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3）在所述衬底表面形成栅极结构；4）在所述衬底内形成沟道区域；5）在所述衬底内形...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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