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本发明揭露一种用于微影的三层型光阻结构和其制造方法。形成一底层、一光敏层以及一中间层，其中中间层位于底层以及光敏层的中间。中间层会因为组成物的表面能差异而分层成两层，下层的硅含量比上层高。当使用负调显影时可以在中间层上方加入具有极性转换功能...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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