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本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤：a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生长Ge量子点；d)对加工过后的晶粒掺杂化学混合...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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