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本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或...
该专利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过EV集团E·索尔纳有限责任公司授权不得商用。

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