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本发明提供一种改善光阻残膜的方法，在进行离子掺杂制程之前对光阻层(5)仅进行软烤，使得光阻层(5)的上表面(51)遮盖住光阻层(5)的下表面(52)与基板(1)的交接处，以所述光阻层(5)为遮挡基板(1)进行离子掺杂制程时，在所述光阻层(5...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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