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本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层；控制生长温度为1050℃～1100℃，生长压力为300torr～600torr，在低温二维层上生长高温高压三维层；控制生长温度为100...
该专利属于华灿光电(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。

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