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本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明针对常规的逆阻型AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管与传统硅CMOS工艺不兼容以及器件制备温度高等问题，提出了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件。本发明所提出的逆阻型氮...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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