温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

IGBT(1)具有：n型漂移层(5)；p型基极层(6)及n型发射极层(7)，它们形成在n型漂移层(5)的表面；以及p型集电极层(8)，其形成在n型漂移层(5)的背面。FWD(2)具有：n型漂移层(5)、在n型漂移层(5)的表面形成的p型阳极...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。