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本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管，其中，制备方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层和第一氧化层；依次对第一氧化层和多晶硅层进行图形化刻蚀至栅氧化层为止；在注入窗口对应的衬底依次形成体区和源区；在形成源区的衬底上依次...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。