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本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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