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提供了一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中在半导体晶圆（101）的第一主面（103）提供第一杂质。第一氧化物层（112）被形成在所述晶圆（101）的所述第一主面（103）上，其中所述第一氧化物层（112）以如下方式采用第二杂质部分地被...
该专利属于ABB瑞士股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB瑞士股份有限公司授权不得商用。

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