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本发明创造提供了一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置包括主环形管及嵌套在主环形管管腔内的掺杂气环形管；主环形管及掺杂气环形管设有相互独立的进气口；主环形管上沿周向开设有若干个主出气孔，掺杂气环形管上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔，主出...
该专利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津市环欧半导体材料技术有限公司授权不得商用。

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