温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种基于单原子层沉积的金属生长方法，包括：提供单原子层沉积设备；对单原子层沉积设备中的单原子层沉积反应腔进行除湿除氧处理；在反应腔中通入第一前驱体反应物，用于在基片表面进行反应；从反应腔中排出过剩第一前驱体反应物及反应副产物；在反...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。