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本发明涉及半导体器件的制备方法，公开了一种闪存单元的制备方法。在本申请的闪存单元的制备方法中，在将选择栅PMOS晶体管区域的逻辑栅与控制栅PMOS晶体管区域的逻辑栅隔开后，通过后续的高温工艺，将选择栅PMOS晶体管区域的逻辑栅中注入的P型杂...
该专利属于芯成半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯成半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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