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本发明涉及一种氮化镓肖特基二极管，包括衬底、N+氮化镓层、N‑氮化镓层台面、蚀刻有凹槽的P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有作为阳极的肖特基金属层，N+氮化镓层上形成有作为阴极的欧姆金属层。其制作方法包括在衬底上表面依次生长N+氮化镓层、N‑...
该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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