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本发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置,该装置包含等离子体反应腔,该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座,该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环,限制环下设有与限制环射频耦合的接地环;接地环与限制环之间设有间隔部件;该间隔部件在限...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置,该装置包含等离子体反应腔,该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座,该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环,限制环下设有与限制环射频耦合的接地环;接地环与限制环之间设有间隔部件;该间隔部件在限...