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本实用新型公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法,涉及微电子机械系统领域。本实用新型首先通过基底耦合的方式,使4个类似的斜梁‑敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变;然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa‑ΔCb),...该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法,涉及微电子机械系统领域。本实用新型首先通过基底耦合的方式,使4个类似的斜梁‑敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变;然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa‑ΔCb),...