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本发明提供一种TEM样品制备方法，包括以下步骤：提供一TEM预备样品，在所述TEM预备样品的目标区域上方制备一缓冲层；在所述TEM预备样品表面形成一金属保护层，得到TEM样品，其中，所述金属保护层覆盖所述缓冲层。本发明的TEM样品制备方法中...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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