温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供坩埚，在坩埚底部设置形核剂层；在形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，架空层在垂直于坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，架空层的高度不小于10mm；在架空层上铺设硅片，硅片覆盖空隙形成覆盖层，然后在...
该专利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西赛维LDK太阳能高科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。