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本申请公开了一种高压ESD保护触发电路，所述触发电路包括一具有电压钳位的器件，其阴极接输入输出衬垫；一电容，其第一端接输入输出衬垫；一第一电阻和第二电阻；一第一NMOS管，其源极接地，其栅极与所述电容的第二端相连接，其漏极与所述第二电阻的第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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