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本申请公开了一种高压ESD保护触发电路,所述触发电路包括一具有电压钳位的器件,其阴极接输入输出衬垫;一电容,其第一端接输入输出衬垫;一第一电阻和第二电阻;一第一NMOS管,其源极接地,其栅极与所述电容的第二端相连接,其漏极与所述第二电阻的第...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种高压ESD保护触发电路,所述触发电路包括一具有电压钳位的器件,其阴极接输入输出衬垫;一电容,其第一端接输入输出衬垫;一第一电阻和第二电阻;一第一NMOS管,其源极接地,其栅极与所述电容的第二端相连接,其漏极与所述第二电阻的第...