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本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片，属于发光二极管技术领域。该方法包括：在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层，其中，M为大于等于10...
该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

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