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本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明还涉...
该专利属于赛米控电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛米控电子股份有限公司授权不得商用。

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