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本实用新型涉及超低逸出功材料技术领域，具体涉及一种具有超低逸出功的阳极，它包括单晶硅层、HfO...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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