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垂直通道结构制造技术
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文档序号:15439596
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本发明公开了一种垂直通道结构,包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层与第...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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