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晶体管器件和方法技术
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文档序号:15397144
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本公开包括晶体管器件和方法。在一个实施例中,晶体管包括栅极、源极和漏极。根据本公开的一个方面,使用不同的栅极至漏极电容补偿漏极中不同电阻性路径。根据本公开的另一方面,电流在中心分接点处进入漏极并且在两个相邻栅极之下对称地向外流动至两个相邻源...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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