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本发明公开了一种AlGaInP发光二极管薄膜芯片结构及其制备方法，该薄膜芯片包括：P电极、键合基板、键合金属层、金属反射导电层、介质层、P面接触电极、P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层...
该专利属于南昌大学;南昌黄绿照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌黄绿照明有限公司授权不得商用。

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