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本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种防静电IGBT模块,通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻,并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定,从而降低IGBT模块在运输、传递和使用...该专利属于中航(重庆)微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中航(重庆)微电子有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种防静电IGBT模块,通过在连接IGBT芯片栅极的第一信号端子和连接IGBT芯片漏极的第二信号端子之间添加电阻,并利用信号端子座、保护盖和导电胶对该电阻进行固定,从而降低IGBT模块在运输、传递和使用...