温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种太阳能电池及其电池背抛光工艺，属于太阳能电池领域。该太阳能电池背抛光工艺包括：将硅片于15～35℃的刻蚀液中浸泡100～150s进行刻蚀处理，刻蚀液由质量分数为65～68％的HNO3和质量分数为48～49％的HF按照体积比5...该专利属于江西瑞晶太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西瑞晶太阳能科技有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种太阳能电池及其电池背抛光工艺，属于太阳能电池领域。该太阳能电池背抛光工艺包括：将硅片于15～35℃的刻蚀液中浸泡100～150s进行刻蚀处理，刻蚀液由质量分数为65～68％的HNO3和质量分数为48～49％的HF按照体积比5...